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Glättungsmechanismen beim Ionenbeschuss rauer amorpher Oberflächen

dc.contributor.advisorMayr, Stefan G. Prof. Dr.de
dc.contributor.authorVauth, Sebastiande
dc.date.accessioned2013-01-22T15:41:05Zde
dc.date.available2013-01-30T23:50:58Zde
dc.date.issued2008-03-18de
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11858/00-1735-0000-000D-F133-Fde
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.53846/goediss-3417
dc.description.abstractDie Untersuchung von Oberflächenstrukturen bildet ein weites Feld aktueller Forschung. Insbesondere unter dem Aspekt der fortschreitenden Miniaturisierung elektronischer Bauteile ist es von Interesse, Oberflächen und Grenzflächen kontrolliert herzustellen und zu verändern. Dafür ist das Verständnis der an der Strukturentwicklung beteiligten Prozesse von fundamentaler Bedeutung. Ein dynamischer Prozess kann als treibende Kraft für die Strukturentwicklung dienen. Diese Rolle wird in dieser Arbeit von Ionenbestrahlung im Energiebereich weniger keV übernommen. Als Materialsystem dienen hier amorphe dünne Schichten. Das Ziel dieser Arbeit ist die Identifikation der Mechanismen, die zu der durch Ionenbeschuss getriebenen Strukturentwicklung führen. Um dieses Ziel zu erreichen, werden experimentelle Untersuchungen und Computer-Simulationen durchgeführt. Auf der experimentellen Seite werden dünne Schichten des metallischen Glases Zr65Al7.5Cu27.5 durch Kokondensation hergestellt. Diese Oberflächen werden anschließend mit Kr+ Ionen der Energie 3 keV bestrahlt. Sämtliche Oberflächen werden bezüglich ihrer Topographie mit einem Rastertunnelmikroskop untersucht. Die so gemessenen Oberflächentopographien werden anschließend anhand von Größen wie der Rauigkeit und verschiedenen Korrelationsfunktionen quantitativ charakterisiert. Zur Aufklärung der atomistischen Prozesse beim Ionenbeschuss werden Molekulardynamik-Simulationen durchgeführt. Als Modellsysteme dienen hier das metallische Glas CuTi sowie das Halbleiterglas Si. Des Weiteren erfolgt auf der Seite der Simulationen eine Modellierung der Strukturentwicklung mittels stochastischer partieller Differentialgleichungen, die durch die Methode der finiten Differenzen numerisch gelöst werden. Im Rahmen dieser Arbeit konnte gezeigt werden, dass die Glättung von strukturierten Oberflächen durch Ionenbestrahlung im Energiebereich weniger keV möglich ist. Darüber hinaus konnten viskoses Oberflächenfließen und ballistischer Transport als wesentliche Glättungsmechanismen identifiziert und abhängig von der betrachteten Strukturgröße quantitativ miteinander verglichen werden.de
dc.format.mimetypeapplication/pdfde
dc.language.isogerde
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/de
dc.titleGlättungsmechanismen beim Ionenbeschuss rauer amorpher Oberflächende
dc.typedoctoralThesisde
dc.title.translatedSmoothing mechanisms due to ion bombardment of rough amorphous surfacesde
dc.contributor.refereeMayr, Stefan G. Prof. Dr.de
dc.date.examination2007-10-11de
dc.subject.dnb530 Physikde
dc.subject.gokRDde
dc.subject.gokRV000de
dc.subject.gokRVI000de
dc.subject.gokRVI210de
dc.subject.gokRVI220de
dc.subject.gokRVQ450de
dc.subject.gokRVQ500de
dc.subject.gokRVQ700de
dc.subject.gokRVQ820de
dc.subject.gokRVS500de
dc.subject.gokRVT500de
dc.subject.gokRJM000de
dc.subject.gokRJM200de
dc.subject.gokRJM300de
dc.subject.gokRJM320de
dc.subject.gokRQI000de
dc.subject.gokRQI900de
dc.subject.gokRQL200de
dc.subject.gokRTF500de
dc.description.abstractengInvestigation of surface structures constitutes a broad field of contemporary research. Particularly due to proceeding miniaturization of electronic devices controlling the formation and evolution of surfaces and interfaces is desirable. Therefore, understanding the structure evolution is of fundamental interest. A dynamical process can serve as a driving force for structure evolution. In this thesis this role is played by ion bombardment in the low keV energy range. Amorphous thin films act as the material system investigated here. The aim of this work is the identification of the mechanisms leading to the ion bombardment induced structure evolution. To reach this goal experimental investigations and computer simulations are performed. On the experimental side thin films of the metallic glass Zr65Al7.5Cu27.5 are prepared by cocondensation. Subsequently the surfaces are bombarded with Kr+ ions with 3 keV kinetic energy. The topographies of all surfaces are investigated by scanning tunneling microscopy (STM) and quantitatively analyzed by statistical measures like roughness and correlation functions. For clarification of the atomistic processes during ion bombardment molecular dynamics (MD) simulations are performed. Here, the metallic glass CuTi and the semiconductor glass Si serve as model systems. Furthermore, on the side of simulations modeling of structure evolution by stochastic partial differential equations, which are numerically solved by a finite difference scheme, is performed. In the course of this thesis it is shown that smoothing of surface structures by ion bombardment in the low keV energy range is possible. Additionally, surface viscous flow and ballistic transport are identified as the dominating smoothing mechanisms. These mechanisms are compared with each other with respect to the lateral structure size.de
dc.contributor.coRefereeKrebs, Hans-Ulrich Prof. Dr.de
dc.subject.topicMathematics and Natural Sciencede
dc.subject.gerOberflächende
dc.subject.gerIonenbestrahlungde
dc.subject.gerStrukturentwicklungde
dc.subject.gergetriebene Systemede
dc.subject.gerTransportphänomenede
dc.subject.geramorphe Systemede
dc.subject.gerGläserde
dc.subject.gerMetallede
dc.subject.gerHalbleiterde
dc.subject.gerRastertunnelmikroskopiede
dc.subject.gerMolekulardynamik-Simulationende
dc.subject.gerstochastische Ratengleichungende
dc.subject.engsurfacesde
dc.subject.engion bombardmentde
dc.subject.engstructure evolutionde
dc.subject.engdriven systemsde
dc.subject.engtransport phenomenade
dc.subject.engamorphous systemsde
dc.subject.engglassesde
dc.subject.engmetalsde
dc.subject.engsemiconductorsde
dc.subject.engscanning tunneling microscopyde
dc.subject.engmolecular dynamics simulationsde
dc.subject.engstochastic rate equationsde
dc.subject.bk33.60de
dc.subject.bk33.66de
dc.subject.bk33.68de
dc.subject.bk33.28de
dc.subject.bk33.05de
dc.subject.bk33.06de
dc.identifier.urnurn:nbn:de:gbv:7-webdoc-1739-7de
dc.identifier.purlwebdoc-1739de
dc.identifier.ppn573781265de


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