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Oxidation und epitaktische Oxidation von Nickel und Nickellegierung

dc.contributor.advisorFreyhardt, Herbert C. Prof. Dr.de
dc.contributor.authorBrandt, Cirsten Majade
dc.date.accessioned2002-11-08T15:28:54Zde
dc.date.accessioned2013-01-18T13:36:01Zde
dc.date.available2013-01-30T23:51:00Zde
dc.date.issued2002-11-08de
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11858/00-1735-0000-0006-B41E-8de
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.53846/goediss-2778
dc.description.abstractHochtexturierte supraleitende YBaCuO-Bänder können hergestellt werden, indem sie auf thermomechanisch texturierten Metallbändern (RABiTS) mit einer oxidischen Pufferschicht als Diffusionsbarriere epitaktisch abgeschieden werden. Eine interessante Möglichkeit die oxidische Pufferschicht herzustellen, bietet die Eigenoxidation (SOE) des RABiTS-Bandes. Dabei wird das RABiTS-Band gezielt so oxidiert, dass das Eigenoxid epitaktisch auf dem Substrat aufwächst. Anhand von Oxidationsexperimenten wird zunächst die sich auf Ni, NiCr und NiV RABiTS-Bändern bildende NiO-Schicht auf ihre Eignung als Pufferschicht für supraleitende Bänder untersucht. Schwerpunkt der Arbeit ist es schließlich die Mechanismen der Texturbildung während der epitaktischen Oxidation zu erklären. Dazu wurden Oxidationsexperimente an einkristallinen (100)-Nickelfilmen durchgeführt. Bei der Oxidation bildet sich das NiO in zwei unterschiedlichen Orientierungen, nämlich der NiO(100)- und der NiO(111)-Orientierung. Diese beiden Orientierungen wachsen epitaktisch auf. Das Verhältnis dieser beiden Anteile lässt sich über die Oxidationsrate, welche von der Temperatur und dem Sauerstoffpartialdruck abhängt, beeinflussen. Bei hoher Oxidationsrate wird hauptsächlich die NiO(111) Orientierung und bei niedriger Oxidationsrate hauptsächlich die NiO(100) Orientierung beobachtet. Mittels in-situ Röntgenmessungen wurde die zeitliche Entwicklung der beiden Anteile untersucht und anhand dieser Messungen ein Modell entwickelt, das die Mechanismen der epitaktischen Oxidation beschreibt. Danach kann die epitaktische Oxidation in drei Wachstumsphasen unterteilt werden, die durch zwei kritische Schichtdicken beschrieben werden. In der Frühphase bildet sich eine nahezu einkristalline (111)-orientierte NiO-Anfangsschicht. Diese Anfangsschicht ist bis zu einer kritischen Schichtdicke stabil. In der zweiten Phase wandelt sich die NiO(111)-Orientierung in die NiO(100)-Orientierung um. Diese Umwandlungsreaktion ist bei einer zweiten kritischen Schichtdicke beendet. In der letzten Phase findet nun nur noch epitaktisches Wachsen über Korngrenzendiffusion statt. Dabei bleiben sowohl die Güte der Textur als auch die Volumenanteile der verschieden orientierten Anteile konstant. Das Verhältnis der unterschiedlich orientierten Anteile hängt deshalb vom Verhältnis der Umwandlungsgeschwindigkeit zur Oxidationsrate ab. Mögliche treibende Kräfte für die Orientierungsumwandlung werden diskutiert.de
dc.format.mimetypeapplication/pdfde
dc.language.isogerde
dc.rights.urihttp://webdoc.sub.gwdg.de/diss/copyrdiss.htmde
dc.titleOxidation und epitaktische Oxidation von Nickel und Nickellegierungde
dc.typedoctoralThesisde
dc.title.translatedOxidation and epitaxial oxidation of Nickel and Nickel alloysde
dc.contributor.refereeWinzer, Klaus Prof. Dr.de
dc.date.examination2002-08-16de
dc.subject.dnb530 Physikde
dc.description.abstractengStrongly textured superconducting YBaCuO tapes can be prepared by an epitaxial deposition on thermo-mechanically textured metal tapes (RABiTS) covered with an oxide buffer layer as a diffusion barrier. An interesting possibility to prepare the oxide buffer layer is the self-oxidation (SOE) of the RABiTS tapes. In this procedure the RABiTS tape is oxidised in such a way, that the self-oxide grows epitaxially on the substrat. Oxidation experiments were performed to study the oxide layers formation on Ni, NiCr and NiV RABiTS tapes with respect to their suitability as buffer layers for superconducting tapes. The emphasis of this work is on the mechanisms of texture formation during the epitaxial oxidation. The oxidation experiments were performed on single-crystalline (100) Ni films. During the oxidation the NiO forms in two different orientations, the NiO(100) and the NiO(111) orientation. Both orientations grow epitaxially on the substrate. The ratio of the two fractions of orientations can be affected by the rate of oxidation, which depends on the temperature and the partial pressure of oxygen. At high rates of oxidation the NiO(111) orientation and at low rates of oxidation the NiO(100) orientation is mainly observed. Via in-situ x-ray measurements a model was developed, which describes the mechanisms of the epitaxial oxidation. According to this model the epitaxial oxidation can be divided into three phases of growth, which are characterized by two critical layer thicknesses. In the early stage a nearly single-crystalline NiO(111) initial layer is formed. This initial layer is stabil until a critical layer thickness is reached. In the second phase the NiO(111) orientation transforms into the NiO(100) orientation. The completion of transformation is determined by a second critical layer thickness. In the final phase epitaxial growth via grain boundary diffusion takes place. During this phase the quality of texture and the fractions of the different orientations remain constant. Therefore, the ratio of the different fractions of orientations depends on the ratio of the rate of transformation to the rate of oxidation. Possible driving forces of the orientation transformation are discussed.de
dc.contributor.coRefereeHofsäss, Hans Christian Prof. Dr.de
dc.contributor.thirdRefereeFelsch, Wolfgang Prof. Dr.de
dc.subject.topicMathematics and Computer Sciencede
dc.subject.gerOxidationde
dc.subject.gerepitaktische Oxidationde
dc.subject.gerNide
dc.subject.gerNi(100)de
dc.subject.gerNiOde
dc.subject.gerNiO(111)de
dc.subject.gerNiO(100)de
dc.subject.gerSOEde
dc.subject.gerRABiTSde
dc.subject.gerOrientierungsumwandlungde
dc.subject.engOxidationde
dc.subject.engepitaxial Oxidationde
dc.subject.engNide
dc.subject.engNi(100)de
dc.subject.engNiOde
dc.subject.engNiO(111)de
dc.subject.engNiO(100)de
dc.subject.engSOEde
dc.subject.engRABiTSde
dc.subject.engchange of orientationde
dc.subject.bk33.61 Festkörperphysikde
dc.identifier.urnurn:nbn:de:gbv:7-webdoc-1126-9de
dc.identifier.purlwebdoc-1126de
dc.affiliation.instituteFakultät für Physikde
dc.subject.gokfullRVC 200: Kristallwachstum {Physik: Kondensierte Materie}de
dc.identifier.ppn359203108


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