Mikrostrukturelle Untersuchungen an Mangan-dotiertem Galliumnitrid mittels fortgeschrittener Methoden der hochauflösenden und analytischen Transmissionselektronenmikroskopie

Niermann, Tore

dc.contributor.advisor	Seibt, Michael PD Dr.	de
dc.contributor.author	Niermann, Tore	de
dc.date.accessioned	2006-12-06T15:29:34Z	de
dc.date.accessioned	2013-01-18T13:30:50Z	de
dc.date.available	2013-01-30T23:50:57Z	de
dc.date.issued	2006-12-06	de
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11858/00-1735-0000-0006-B447-8	de
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.53846/goediss-2643
dc.description.abstract	In einem verdünnten magnetischen Halbleiter hängen die magnetischen Eigenschaften von der Mikrostruktur des Materials ab. In dieser Arbeit wird Mn-dotiertes GaN mittels Transmissionselektronenmikroskopie in Hinblick auf den Einbau des Mn und die auftretenden Kristalldefekte untersucht.Durch Anwendung der Objektwellenrekonstruktion ergibt sich eine neue Art und Weise der Abbildung ausgedehnter Defekte. So werden in dieser Arbeit die Kernstrukturen verschiedener Defekte beobachtet und auch ihre Verzerrungsfelder mittels geometrischer Phasenanalyse gemessen.Durch analytische Methoden werden GaMn3N-Ausscheidungen in diesem Material identifiziert. Desweiteren wird erstmals eine inhomogene Verteilung des gelösten Mn in ausscheidungsfreiem Material beobachtet. Auch das Verhältnis von substitutionellem zu interstitiellem Einbau des Mn wurde mittels winkelabhängiger Röntgenspektroskopie untersucht und ein vorwiegend substitutioneller Einbau nachgewiesen.	de
dc.format.mimetype	application/pdf	de
dc.language.iso	ger	de
dc.rights.uri	http://webdoc.sub.gwdg.de/diss/copyr_diss.html	de
dc.title	Mikrostrukturelle Untersuchungen an Mangan-dotiertem Galliumnitrid mittels fortgeschrittener Methoden der hochauflösenden und analytischen Transmissionselektronenmikroskopie	de
dc.type	doctoralThesis	de
dc.title.translated	Microstructural investigations of Manganese-doped Gallium Nitride by modern methods of high resolution and analytical transmission electron microscopy	de
dc.contributor.referee	Kirchheim, Reiner Prof. Dr.	de
dc.date.examination	2006-10-30	de
dc.subject.dnb	530 Physik	de
dc.description.abstracteng	The magnetic properties of a diluted magnetic semiconductor depend on the microstructure of the material. In this work transmission electron microscopy was applied to Mn-doped GaN to investigate the incorporation of Mn and the occurring crystal defects.The novel method of object wave reconstruction was used for the imaging of extended defects. This technique allowed the observation of core structures of various defects. The strain fields of these defects were measured using geometric phase analysis.Precipitates of GaMn3N were identified by analytical measurements. A further investigation of material free of precipitates revealed an inhomogeneous distribution of the Mn, which is reported for the first time. The ratio between substitutional and interstitial incorporation of Mn was measured by angular resolved X-ray spectroscopy. The Mn was found predominantly on the substitutional site.	de
dc.subject.topic	Mathematics and Computer Science	de
dc.subject.ger	Transmissionselektronenmikroskopie	de
dc.subject.ger	Mikrostruktur	de
dc.subject.ger	Kristalldefekte	de
dc.subject.ger	Galliumnitrid	de
dc.subject.ger	Mangan	de
dc.subject.eng	Transmission electron microscopy	de
dc.subject.eng	microstructure	de
dc.subject.eng	crystal defects	de
dc.subject.eng	Gallium Nitride	de
dc.subject.eng	Manganese	de
dc.subject.bk	33.05	de
dc.subject.bk	33.61	de
dc.identifier.urn	urn:nbn:de:gbv:7-webdoc-1354-5	de
dc.identifier.purl	webdoc-1354	de
dc.affiliation.institute	Fakultät für Physik	de
dc.subject.gokfull	RPV 750: Elektronenmikroskopie {Physik}	de
dc.subject.gokfull	RVC 300: Kristallgitterfehler {Physik: Kristalline Festkörper}	de
dc.identifier.ppn	525705503	de

Dateien

Name:niermann.pdf

Größe:16.94Mb

Format:PDF

Beschreibung:Dissertation

Öffnen

Name:: niermann.pdf
Größe:: 16.94Mb
Format:: PDF
Beschreibung:: Dissertation

Öffnen

Das Dokument erscheint in:

Fakultät für Physik (inkl. GAUSS) [926]

Zur Kurzanzeige