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Thermische Stabilität und Reaktion metallischer Multilagen

Thermal stability and reaction of metallic multilayers

von Constantin Buzau Ene
Dissertation
Datum der mündl. Prüfung:2007-12-19
Erschienen:2008-01-15
Betreuer:Prof. Dr. Guido Schmitz
Gutachter:Prof. Dr. Reiner Kirchheim
Gutachter:Prof. Dr. Guido Schmitz
crossref-logoZum Verlinken/Zitieren: http://dx.doi.org/10.53846/goediss-2752

 

 

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Name:ene.pdf
Size:4.55Mb
Format:PDF
Description:Dissertation
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Zusammenfassung

Englisch

In this work nano-scaled Cu/Py (Py-Permalloy-Ni79Fe21 and Al/Cu thin films, required by modern electronic applications, were successfully investigated regarding their thermal stability, the early interreaction stages and stress influence on diffusion, respectively. The Cu/Py multilayer system exhibiting Giant Magneto Resistance effect (GMR) was microscopically analyzed over a large temperature range using atom probe tomography (APT) which provides an outstanding spatial resolution. Contrary to the usual presumption that a destroyed layered geometry is the cause of the vanishing GMR effect, the nano analysis shows remarkably stable layered geometry up to 500°C although annealing at temperatures higher than 250°C already leads to the loss of the GMR effect. According to the nano analysis, the low temperature breakdown of the GMR effect in Cu/Py systems is related to the short range intermixing at the interfaces on a width of about 1 nm. This intermixing takes place homogeneously along the interfaces after annealing at temperatures of 250°C and slightly above, without destruction of the clear layered structure. The degree of intermixing is very well explained by the interface equilibrium Cahn-Hilliard model. The early stage interreaction in Al/Cu sandwich type thin films showed no precursory interdiffusion, but direct formation of a layer of a single reaction product with a 7.5 at.% existence range around the Al2Cu (θ) phase composition. Remarkably, a significant asymmetry in the reaction rate with the stacking sequence of the materials was found. The reaction product thicknesses at the two interfaces develop parabolically in time, though with different rates. This was explained as a particularity of the tip shaped tungsten substrates which enables stress development during the solid state reaction and by stress development due to Laplace tension.
Keywords: metallic multilayers; Giant Magneto-Resistance; GMR; diffusion; microstructure; Laplace tension; Atom Probe Tomography; TEM; Focused Ion Beam

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In dieser Arbeit wurden nanoskalige Cu/Py (Py-Permalloy-Ni79Fe21) und Al/Cu Schichtsysteme, welche relevant in moderne elektronische Anwendungen sind, erfolgreich hinsichtlich ihrer thermischen Stabilität, der Frühstadien der Interreaktion und des Spannungseinflusses auf die Diffusion untersucht. Das Cu/Py Schichtsystem, welches den Riesen-Magneto-Widerstands (GMR) Effekt zeigt, wurde mikroskopisch in einem großen Temperaturbereich mit der Atomsonden Tomographie analysiert. Im Gegensatz zur gängigen Vermutung, dass eine Zerstörung der Lagenstruktur die Ursache für das Zusammenbrechen des GMR Effektes bei Temperaturen oberhalb von 250°C ist, zeigt die Nano-Analyse eine stabile Multilagen Geometrie bis zu 500°C. Der Zusammenbruch des GMR Effektes im Cu/Py System ist stattdessen auf eine entlang der Grenzfläche homogene, kurzreichweitige Interdiffusion auf einer Längenskala von ungefähr 1 nm zurückzuführen. Die Temperaturabhängigkeit der Durchmischung wird dabei sehr gut durch das Cahn-Hilliard Grenzflächengleichgewichtsmodell erklärt. Bei der Untersuchung der Frühstadien der Interreaktion an Al/Cu/Al sowie Cu/Al/Cu Schichtsystemen wurde die direkte Bildung einer Produktphase ohne vorherige Interdiffusion gefunden. Der Existenzbereich der Produktphase lag bei 7.5 at.% um die Al2Cu (θ) Phase. Bemerkenswerterweise wurde eine signifikante Asymmetrie der Reaktionsgeschwindigkeit in Abhängigkeit von der Stapelfolge der einzelnen Schichten beobachtet. Die Dicke der Reaktionsprodukte an den beiden Grenzflächen zeigt jeweils ein parabolisches Wachstumsverhalten, jedoch mit unterschiedlicher Rate. Die Asymmetrie in der Reaktionsrate kann durch die starke Krümmung der verwendeten Wolframsubstrate, welche das Auftreten lokal stark variierender mechanischer Spannungen während der Festkörperreaktion zur Folge hat, erklärt werden. Als alternativer Erklärungsansatz wird der Einfluss der Laplace Spannung auf die Reaktionsrate diskutiert.
Schlagwörter: metallische Multilagen; Riesen-Magneto-Widerstand; GMR; Diffusion; Mikrostruktur; Laplace Spannung; Atomsonde Tomographie; TEM; Focused Ion Beam
 

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