Atomic and electronic structure of the cleaved non-polar 6H-SiC(11-20) and GaN(1-100) surfaces

Abstract

Der Titel dieser Doktorarbeit lautet Atomic and electronic structure of the cleaved non-polar 6H-SiC(11-20) and GaN(1-100) surfaces (Atomare und elektronische Struktur der gespaltenen nicht-polaren 6H-SiC(11-20) und GaN(1-100) Oberflächen). Sie enthält die Ergebnisse von einer kombinierten experimentellen und theoretischen Studie die im Rahmen einer Kooperation zwischen dem IV. Physikalischen Institut der Georg-August Universität Göttingen (Deutschland) und dem Physikalischen Institut der Universität Modena und Reggio Emilia und dem National Research Center (CNR) in Parma (Italien) durchgeführt wurde. Das Ziel dieser Studie war es, die physikalischen Eigenschaften der gespaltenen nicht-polaren Silizium-Carbid (6H-SiC) und Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter Oberflächen, die ein hohes Potential für Leucht- und Laserdioden hoher Effizienz im grünen Bereich besitzen, zu verstehen. Das Ziel ist es die so genannte grüne Bandlücke von Nitrid-Leuchtdioden zu schließen. Wegen den vielversprechenden industriellen Anwendungen und dem Fehlen von experimentellen Messungen auf den sauberen nicht-polaren 6H-SiC und GaN Oberflächen haben wir beschlossen diese Oberflächen mittels Querschnitts-Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie (X-STM/STS) zu untersuchen. Die Doktorarbeit enthält die ersten publizierten experimentellen Daten auf den gespaltenen nicht-polaren 6H-SiC(11-20) und GaN(1-100) Oberflächen. Die Ergebnisse über das SiC System wurden im Physical Review B publiziert (75, 165312, 2007) und die Ergebnisse über das GaN System wurden bei der gleichen Zeitschrift für die Veröffentlichung akzeptiert (2009).