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Atomic and electronic structure of the cleaved non-polar 6H-SiC(11-20) and GaN(1-100) surfaces

dc.contributor.advisorRizzi, Angela Prof. Dr.de
dc.contributor.authorBertelli, Marcode
dc.date.accessioned2009-08-05T15:30:57Zde
dc.date.accessioned2013-01-18T13:41:02Zde
dc.date.available2013-01-30T23:51:12Zde
dc.date.issued2009-08-05de
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11858/00-1735-0000-0006-B495-7de
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.53846/goediss-2906
dc.description.abstractDer Titel dieser Doktorarbeit lautet Atomic and electronic structure of the cleaved non-polar 6H-SiC(11-20) and GaN(1-100) surfaces (Atomare und elektronische Struktur der gespaltenen nicht-polaren 6H-SiC(11-20) und GaN(1-100) Oberflächen). Sie enthält die Ergebnisse von einer kombinierten experimentellen und theoretischen Studie die im Rahmen einer Kooperation zwischen dem IV. Physikalischen Institut der Georg-August Universität Göttingen (Deutschland) und dem Physikalischen Institut der Universität Modena und Reggio Emilia und dem National Research Center (CNR) in Parma (Italien) durchgeführt wurde. Das Ziel dieser Studie war es, die physikalischen Eigenschaften der gespaltenen nicht-polaren Silizium-Carbid (6H-SiC) und Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter Oberflächen, die ein hohes Potential für Leucht- und Laserdioden hoher Effizienz im grünen Bereich besitzen, zu verstehen. Das Ziel ist es die so genannte grüne Bandlücke von Nitrid-Leuchtdioden zu schließen. Wegen den vielversprechenden industriellen Anwendungen und dem Fehlen von experimentellen Messungen auf den sauberen nicht-polaren 6H-SiC und GaN Oberflächen haben wir beschlossen diese Oberflächen mittels Querschnitts-Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie (X-STM/STS) zu untersuchen. Die Doktorarbeit enthält die ersten publizierten experimentellen Daten auf den gespaltenen nicht-polaren 6H-SiC(11-20) und GaN(1-100) Oberflächen. Die Ergebnisse über das SiC System wurden im Physical Review B publiziert (75, 165312, 2007) und die Ergebnisse über das GaN System wurden bei der gleichen Zeitschrift für die Veröffentlichung akzeptiert (2009).de
dc.format.mimetypeapplication/pdfde
dc.language.isoengde
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nd/2.0/de/de
dc.titleAtomic and electronic structure of the cleaved non-polar 6H-SiC(11-20) and GaN(1-100) surfacesde
dc.typedoctoralThesisde
dc.title.translatedAtomic and electronic structure of the cleaved non-polar 6H-SiC(11-20) and GaN(1-100) surfacesde
dc.contributor.refereeBechstedt, Friedhelm Prof. Dr.de
dc.date.examination2009-01-30de
dc.subject.dnb530 Physikde
dc.description.abstractengThe title of this Ph.D. thesis is Atomic and electronic structure of the cleaved non-polar 6H-SiC(11-20) and GaN(1-100) surfaces . It shows the results of a combined experimental and theoretical study which has been done at the IV. Physikalischen Institut der Georg-August Universität Göttingen (Germany) in cooperation with the Università di Modena und Reggio Emilia (Italy) and the National Research Center (CNR) in Parma (Italy). The goal of this study was to investigate the physical properties of the cleaved non-polar silicon-carbide (6H-SiC) and gallium-nitride (GaN) semiconductor surfaces which hold a high potentiality for light emitting dioes and laser diodes operating with high efficiency in the green wavelength range. The main goal is to close the so-called green-gap of nitride-based light diodes. In view of the promising industrial applications and because of the lack of experimental measurements on the clean non-polar 6H-SiC and GaN surfaces, we decided to investigate these surfaces by Cross Section Scanning Tunneling Microscopy and -Spectroscopy (X-STM/STS). This Ph. D. thesis contains the first published experimental data on the cleaved non-polar 6H-SiC(11-20) and GaN(1-100) surfaces. The results on the SiC system were published in Physical Review B (75, 165312, 2007) and the results on the GaN system were accepted for publication in the same scientific journal (2009).de
dc.subject.topicMathematics and Computer Sciencede
dc.subject.gerGaNde
dc.subject.gerSiCde
dc.subject.gerRastertunnelmikroskopiede
dc.subject.gerRastertunnelspektroskopiede
dc.subject.gernicht-polar Oberflachede
dc.subject.engGaNde
dc.subject.engSiCde
dc.subject.engScanning tunneling microscopyde
dc.subject.engScanning tunneling spectroscopyde
dc.subject.engnon-polar surfacede
dc.identifier.urnurn:nbn:de:gbv:7-webdoc-2187-3de
dc.identifier.purlwebdoc-2187de
dc.affiliation.instituteFakultät für Physikde
dc.subject.gokfullRDde
dc.identifier.ppn621470481de


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