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Elektrische Eigenschaften von eisendotiertem Silizium in verschiedenen Stadien der Ausscheidung

dc.contributor.advisorSchröter, Wolfgang Prof. Dr.de
dc.contributor.authorKhalil, Reda Mahssop El Naby Mohamed Baiomyde
dc.date.accessioned2004-12-15T15:31:31Zde
dc.date.accessioned2013-01-18T13:35:44Zde
dc.date.available2013-01-30T23:51:09Zde
dc.date.issued2004-12-15de
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11858/00-1735-0000-0006-B4CE-Bde
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.53846/goediss-2770
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.53846/goediss-2770
dc.description.abstractKleine Eisenausscheidungen und Cluster, die durch Relaxation übersättigter Lösungen in p typ Silizium erzeugt wurden, sind mit Kapazitätstransientspektroskopie (DLTS) untersucht worden.Wenn die Eisenkonzentrationen cFe kleiner ist als die Konzentration der flachen Akzeptoren cB, reagieren diese Atome bei Raumtemperatur zu Eisen-Bor-Paaren. Wird die Probe für 30 Minuten bei 200 °C ausgelagert, erscheinen im DLTS Spektrum die zwei Linien für Fei und FeB, wobei die Gesamtkonzentration der Löslichkeit des Eisens entspricht. Die hier bestimmten Defektparameter, insbesondere die Energieniveaus von Fei und FeB, stimmen mit den aus Untersuchungen verschiedener Gruppen bekannten überein.Eine Auslagerung bei etwas höheren Temperaturen (250 °C, 15 Minuten) erzeugt einen neuen Defekt. Da verschwindet die Fei-Linie aus dem DLTS- Spektrum, und es erscheint eine neue Linie an der gleichen Stelle mit sehr viel kleinerer Amplitude. Während die Emissionscharakteristik dieses Defektes vergleichbar ist mit der aus der Literatur bekannten des Fei , ist die Einfangscharakteristik dieses Defekts deutlich verschieden von der des Fei und zeigt ihn als ausgedennten Defekt mit einer großen Dichte lokalisierter elektronischer Zustände. Im Unterschied zu Fei reagiert dieser Defekt nicht mit Bor.Wir erklären dieses Verhalten durch eine schmale Verteilung von lokalisierten Zuständen in der Bandlücke des Siliziums in der Nähe des Energieniveaus vom Fei. Bei diesem Defekt handelt es sich nicht um Silizidausscheidungen sondern vermutlich um Cluster aus Fei. Die Ähnlichkeit der elektronischen Eigenschaften von Fei und Fei-Cluster wurde nicht bei kleinen Clustern mit wenigen elektrischen Niveaus gefunden.Für Eisenkonzentrationen cFe > cB entsteht nach Auslagerung für 30 Minuten bei 200°C eine andere Art von Fe-Ausscheidungen. Die DLTS- Linienform, sowie die Einfang- und Emissionscharakteristik von NiSi2- und Cu3Si-Ausscheidungen, wie man sie sind ähnlich denen nach Abschrecken von hohen Temperaturen erhält. Aufgrund dieser Ähnlichkeit gehen wir davon aus, dass die Fe-Ausscheidung in einer Eisensilizid- Phase vorliegt. Unsere DLTS- Messungen ergaben, dass das Elektronenniveauspektrum der Ausscheidungen die typische Charakteristik von bandartigen Zuständen aufweist, die sich bis in die untere Bandlücke erstrecken. Der Ursprung der Elektronenniveaus sind entweder Volumenzustände der Ausscheidung oder Zustände aus der Grenzschicht zum umgebenden Silizium.de
dc.format.mimetypeapplication/pdfde
dc.language.isoengde
dc.rights.urihttp://webdoc.sub.gwdg.de/diss/copyr_diss.htmlde
dc.titleElektrische Eigenschaften von eisendotiertem Silizium in verschiedenen Stadien der Ausscheidungde
dc.typedoctoralThesisde
dc.title.translatedElectrical Properties of Iron-Doped Silicon at Different Stages of Precipitationde
dc.contributor.refereeSchröter, Wolfgang Prof. Dr.de
dc.date.examination2004-11-29de
dc.subject.dnb530 Physikde
dc.description.abstractengSmall iron precipitates and also clusters which evolve from a highly supersaturated solution of Fe in p-type Si on annealing have been investigated by using DLTS.For iron concentrations cFe smaller than the concentration of boron, cB (serving as the shallow acceptor dopant), interstitial iron (Fei) forms FeiB-pairs by reaction with boron. Annealing at 200 °C for 30 minutes drives the reaction to a balance, where the two DLTS-lines associated with Fei and FeB-pairs represent comparable concentration of the two species. The parameters determining this reaction including the electronic levels of Fei and FeB-pairs are well-known from detailed investigations by various groups.On annealing at slightly higher temperatures (250 °C, 15 minutes) a new defect is generated out of Fei. The DLTS-line of Fei disappears and at its position a new line of significantly smaller amplitude appears. The emission characteristic of this new defect indeed falls into the range which has been measured for Fei in the literature. But different from Fei, the new defect has the capture characteristic of an extended defect and it does not react with boron.In our interpretation, the resulting electronic structure of the new defect consists of a compact set of localized states within the band gap of silicon close to the level of Fei. We have argued against a silicide precipitate and for a cluster of Fei ( Fe-cluster ) to be compatible with these properties. This narrow electronic relation between Fei and Fei-cluster is unusual in the sense that it is not met by small clusters of a metal impurities.With increasing iron concentration to values cFe > cB, according to our DLTS data, another type of Fe-precipitate appears on annealing at 200 °C for 30 minutes. Its DLTS-line shape, capture and emission characteristic resemble those of NiSi2- and Cu3Si-precipitates, as obtained by fast quenching from high temperatures. Based on this similarity, we have argued that the Fe-precipitate constitutes an iron silicide phase. According to our DLTS results, the electronic energy spectrum of precipitates shows all characteristic features of band-like states, which extend in the lower half of the silicon band gap.de
dc.contributor.coRefereeFreyhardt, Herbert C. Prof. Dr.de
dc.subject.topicMathematics and Computer Sciencede
dc.subject.gerDLTSde
dc.subject.gerEisenausscheidungende
dc.subject.gerSiliziumde
dc.subject.gertiefe Störstellende
dc.subject.gerClusterde
dc.subject.engDLTSde
dc.subject.engIron-precipitatesde
dc.subject.engSiliconde
dc.subject.engdeep levelsde
dc.subject.engClusterde
dc.identifier.urnurn:nbn:de:gbv:7-webdoc-257-3de
dc.identifier.purlwebdoc-257de
dc.affiliation.instituteFakultät für Physikde
dc.identifier.ppn547517661 480749744


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