GaN:Gd - Ein verdünnter magnetischer Halbleiter?

Röver, Martin

dc.contributor.advisor	Rizzi, Angela Prof. Dr.	de
dc.contributor.author	Röver, Martin	de
dc.date.accessioned	2011-03-09T15:32:06Z	de
dc.date.accessioned	2013-01-18T13:41:17Z	de
dc.date.available	2013-01-30T23:51:12Z	de
dc.date.issued	2011-03-09	de
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11858/00-1735-0000-0006-B4EC-7	de
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.53846/goediss-2912
dc.description.abstract	In dieser Arbeit werden die magnetischen Eigenschaften von mit Molekularstrahlepitaxie (MBE) hergestellten GaN:Gd Schichten untersucht. Strukturelle Untersuchungen bestätigen den substitutionellen Einbau des Gd auf Ga Plätzen im dreifach geladenen Zustand (3+). Die Proben weisen eine schlechte Reproduzierbarkeit hinsichtlich der magnetischen Eigenschaften auf und es werden starke Hinweise gefunden, daß Defekte mit einer Konzentration von ca. 1019 cm-3 eine wichtige Rolle für die magnetischen Eigenschaften spielen. Der in der Literatur vorgeschlagene Zusammenhang der magnetischen Eigenschaften mit Galliumleerstellen wird direkt mit Positronen-Vernichtungsspektroskopie (PAS) adressiert, aber die Ergebnisse können diesen nicht bestätigen. Eine Sauerstoff co-Dotierung der GaN:Gd Schichten führt zu Raumtemperaturferromagnetismus und unterstreicht die Rolle von Sauerstoffverunreinigungen für die magnetischen Eigenschaften in GaN:Gd.	de
dc.format.mimetype	application/pdf	de
dc.language.iso	ger	de
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/	de
dc.title	GaN:Gd - Ein verdünnter magnetischer Halbleiter?	de
dc.type	doctoralThesis	de
dc.title.translated	GaN:Gd - A dilute magnetic semiconductor?	de
dc.contributor.referee	Rizzi, Angela Prof. Dr.	de
dc.date.examination	2010-10-18	de
dc.subject.dnb	530 Physik	de
dc.description.abstracteng	In this thesis the magnetic properties of GaN:Gd layers grown by molecular beam epitaxy (MBE) are adressed. Structural analysis confirmes the substitutional incorporation of Gd on a Ga site with a 3+ valence. The samples show poor reproducibility with respect to the magnetic properties and strong indications that defects with a concentration of the order of 1019 cm−3 play an important role for the magnetic properties are found. The suggested connection between the ferromagnetism in GaN:Gd and the Ga vacancy is directly adressed by positron annihilation spectroscopy (PAS), but is not supported by the results. Oxygen co-doping of GaN:Gd promotes ferromagnetism at room temperature and points to the role of oxygen for the ferromagnetism in Gd doped GaN.	de
dc.contributor.coReferee	Hoffmann, Axel Prof. Dr.	de
dc.subject.topic	Physics	de
dc.subject.ger	Molekularstrahlepitaxie	de
dc.subject.ger	Verdünnte magnetische Halbleiter	de
dc.subject.ger	Gadolinium	de
dc.subject.ger	Galliumnitrid	de
dc.subject.ger	Defekte	de
dc.subject.ger	Raumtemperaturferromagnetismus	de
dc.subject.ger	Positronenvernichtung	de
dc.subject.ger	GaN	de
dc.subject.ger	Gd	de
dc.subject.ger	MBE	de
dc.subject.ger	PAS	de
dc.subject.eng	dilute magnetic semiconductor	de
dc.subject.eng	gadolinium	de
dc.subject.eng	gallium nitride	de
dc.subject.eng	defects	de
dc.subject.eng	room temperature ferromagnetism	de
dc.subject.eng	positron annihilation spectroscopy	de
dc.subject.eng	GaN	de
dc.subject.eng	Gd	de
dc.subject.eng	MBE	de
dc.subject.eng	PAS	de
dc.subject.bk	33.61	de
dc.subject.bk	33.72	de
dc.subject.bk	33.75	de
dc.identifier.urn	urn:nbn:de:gbv:7-webdoc-2872-7	de
dc.identifier.purl	webdoc-2872	de
dc.affiliation.institute	Fakultät für Physik	de
dc.subject.gokfull	RVC 200: Kristallwachstum {Physik: Kondensierte Materie}	de
dc.subject.gokfull	RVQ 220: Fremdatome {Physik: Halbleiter-Störstellen}	de
dc.subject.gokfull	RVQ 460: Elektrische	de
dc.subject.gokfull	magnetische und optische Eigenschaften {Physik: Halbleiter}	de
dc.identifier.ppn	661862925	de

Files in this item

Name:roever.pdf

Size:10.80Mb

Format:PDF

Description:Dissertation

View/Open

Name:: roever.pdf
Size:: 10.80Mb
Format:: PDF
Description:: Dissertation

View/Open

This item appears in the following Collection(s)

Fakultät für Physik (inkl. GAUSS) [960]

Show simple item record