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Amorphe weichmagnetische CoFeNiSiB-Detektionsschichten in Spinventilen

dc.contributor.advisorSamwer, Konrad Prof. Dr.de
dc.contributor.authorKäufler, Andrea Reginade
dc.date.accessioned2003-04-17T15:33:40Zde
dc.date.accessioned2013-01-18T13:29:05Zde
dc.date.available2013-01-30T23:51:07Zde
dc.date.issued2003-04-17de
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11858/00-1735-0000-0006-B569-0de
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.53846/goediss-2599
dc.description.abstractAuf Co basierende amorphe magnetische Filme sind eine attraktive Alternative für Ni81Fe19 als Detektionsschicht in magnetoresistiven Spinventilen, da sie sehr weichmagnetisch sind, eine genügend hohe Sättigungsmagnetisierung besitzen und für bestimmte Zusammensetzungen nicht magnetostriktiv sind Ein derartiges Spinventil besteht aus zwei magnetischen Lagen, die durch eine nichtmagnetische Zwischenlage voneinander getrennt sind. Wird durch ein äusseres Magnetfeld die Orientierung der Magnetisierungen zueinander verändert, so beeinflusst dies den elektrischen Widerstand durch die spinabhängige Streuung der Elektronen, falls die Zwischenschicht metallisch ist, oder durch die unterschiedlichen spinabhängigen Tunnelbeiträge der Elektronen, falls die Zwischenschicht isolierend ist. Für eine hohe Empfindlichkeit bei kleinem Magnetfeld ist eine weichmagnetische Detektionsschicht mit hoher Sättigungsmagnetisierung erwünscht.In dieser Arbeit wurden amorphe Co64Fe5Ni5Si13B13-Filme auf thermisch oxidierten Si-Substraten magnetron-gesputtert. Die Schichten zeigen eine kleine Koerzitivfeldstärke von circa 1-3 Oe und eine Anisotropie in der Schichtebene. Diese wird durch einen oblique-incidence-Effect während des Herstellungsprozesses verursacht. Eine Ta-Keimschicht reduziert die Anisotropie und die Koerzitivfeldstärke in der leichten Achse, bewirkt aber gleichzeitig eine dickere magnetische Totlage im Vergleich zu den Proben mit SiO2/CoFeNiSiB oder Cu/CoFeNiSiB Grenzflächen. Nach thermischem Anlassen verlieren die Schichten mit Cu/CoFeNiSiB-Grenzfläche allmählich ihre weichmagnetischen Eigenschaften, während diese für die Schichten mit SiO2/CoFeNiSiB oder Cu/CoFeNiSiB Grenzflächen stabil bleiben bis zu 400°C .Tunnelmagnetowiderstands (TMR)-Elemente mit einer amorphen CoFeNiSiB-Detektionsschicht zeigen einen TMR-Effekt von 12% (15%) im wie-hergestellten (ausgelagerten) Zustand, wobei das Schaltfeld der amorphen Lage 12 Oe beträgt. Die Erhöhung im Vergleich zur Koerzitivfeldstärke der Einzellage ist durch die Sreufelder der hartmagnetischen Lage bedingt.Das magnetoresistive Spinventil CoFeNiSiB/Cu/CoCoOx wurde bezüglich der magnetischen Kopplung zwischen der hart- und weichmagnetischen Schicht untersucht. Hierbei wird aus der mittels STM bestimmten Oberflächentopologie der Anteil der magnetischen Kopplung durch korrelierte Grenzflächenrauhigkeit abgeschätzt und mit der beobachteten Kopplungsstärke verglichen.de
dc.format.mimetypeapplication/pdfde
dc.language.isogerde
dc.rights.urihttp://webdoc.sub.gwdg.de/diss/copyrdiss.htmde
dc.titleAmorphe weichmagnetische CoFeNiSiB-Detektionsschichten in Spinventilende
dc.typedoctoralThesisde
dc.title.translatedAmorphous soft magnetic CoFeNiSiB detection layers in spinvalvesde
dc.contributor.refereeBärner, Klaus Prof. Dr.de
dc.date.examination2002-05-16de
dc.subject.dnb530 Physikde
dc.description.abstractengCo-based amorphous magnetic films as detection layer in magnetoresistive systems are an attractive alternative instead of crystalline Ni81Fe19, as they are very soft magnetic, provide a sufficient high saturation magnetization and are zero-magnetostrictive for appropriate chosen stoechiometry.A magnetoresistive spin-valve system consists of two magnetic layers that are separated by a nonmagnetic interlayer. Changing the orientation of the magnetizations to each other by an external magnetic field leads to a change of the electrical resistance due to spin-dependent scattering of the electrons if the interlayer is metallic or due to spin-dependent tunneling contributions of the electrons if the interlayer is insulating. In order to get a high sensitivity at low magnetic field, the detection layer should be very soft magnetic with a high saturation magnetization.Sputtering amorphous Co64Fe5Ni5Si13B13-layers onto SiO2-substrates results in a low coercivity of typical 1-3 Oe and an in-plane anisotropy originating from an oblique-incidence-effect during the fabrication process.Using a Ta-bufferlayer results in a reduced in-plane anisotropy, a lower coercivity in the easy axis but also an enhanced magnetic dead layer thickness compared to samples with SiO2/CoFeNiSiB or Cu/CoFeNiSiB interfaces. In successive thermal annealing the soft magnetic properties of samples with a Cu/CoFeNiSiB interface start to weaken at 200°C, thereas they are stable up to 400°C for layers with SiO2/CoFeNiSiB or Cu/CoFeNiSiB interfaces.By integration of the amorphous CoFeNiSiB-layers in a tunneling magnetoresistance (TMR)-junction a TMR-effect of 12% (15%) was gained for the as-prepared (annealed) sample with a typical switching field of the amorphous layer of 12 Oe. This enhancement in comparison to the coercivity of the single layer is attributed to fringing fields from the hard magnetic layer.Magnetoresistive spin-valve systems CoFeNiSiB/Cu/CoCoOx were investigated regarding the magnetic coupling between the hard and soft magnetic layers. By measuring the surface topology of the amorphous layers with scanning tunneling microscopy, the contribution of the magnetic coupling due to correlated interface roughness is estimated and compared to the observed coupling strenght.de
dc.contributor.coRefereeSchneider, Susanne PD Dr.de
dc.contributor.thirdRefereeKrebs, Hans-Ulrich Prof. Dr.de
dc.subject.topicMathematics and Computer Sciencede
dc.subject.gerTunnelmagnetowiderstandde
dc.subject.germagnetische Kopplungde
dc.subject.geramorphde
dc.subject.gerweichmagnetischde
dc.subject.gerMagnetowiderstandde
dc.subject.gerSpinventilde
dc.subject.engtunneling magnetoresistancede
dc.subject.engmagnetic couplingde
dc.subject.engamorphousde
dc.subject.engsoft magneticde
dc.subject.engmagnetoresistancede
dc.subject.engspin-valvede
dc.subject.bk33.75de
dc.subject.bk33.68de
dc.identifier.urnurn:nbn:de:gbv:7-webdoc-459-8de
dc.identifier.purlwebdoc-459de
dc.affiliation.instituteFakultät für Physikde
dc.subject.gokfullRVC 860: Elektrische und magnetische Eigenschaften {Physik: Kristalline Festkörper}de
dc.identifier.ppn367249685de


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