Strukturelle Änderungen in dünnen amorphen Zr-Al-Ni-Cu- und Ta-Si-N-Schichten

Abstract

Mit verschiedenen experimentellen Methoden werden die strukturabhängigen Eigenschaften amorpher Zr-Al-Ni-Cu- und Ta-Si-N- Multikomponentenschichten untersucht. Aus Messungen der mechanischen Spannungen in amorphen Zr-Al-Ni-Cu-Schichten werden mit hoher Empfindlichkeit relative Volumenänderungen bestimmt, die bei Schichtwachstum, Relaxation und Kristallisation auftreten. Das Meßverfahren ermöglicht Untersuchungen der Spannungsrelaxation und Viskosität in der Nähe des Glasübergangs. Irreversible Spannungsrelaxationen unterhalb von Tg können mit der "Freie Volumen-Theorie" gedeutet werden. Als Ursache für eine schnelle Abnahme von Druckspannungen im Bereich des Glasübergangs wird dagegen ein Fließprozeß vorgeschlagen. Unmittelbar während der Kristallisation werden nur geringe Spannungsänderungen festgestellt. Aus Messungen der isothermen Spannungsrelaxation werden Viskositäten der amorphen Schichten bestimmt. Aus den Spannungsmessungen ergeben sich neue Erkenntnisse über das Relaxations- und Kristallisationsverhalten von Multikomponentengläsern. Es werden grundlegende Fragestellungen zu Entmischungs- und Kristallisationsvorgängen in amorphen Ta-Si-N-Schichten untersucht, die auch für technologische Anwendungen der Schichten als Diffusionsbarrieren relevant sind. ASAXS-, TEM- und XRD- Messungen ergeben, daß in amorphen Ta40Si14N46-Schichten bei Temperaturen zwischen 1073 K und 1273 K komplexe Prozesse, wie eine Phasenseparation und eine nachfolgende Nanokristallisation ablaufen. Diese Prozesse führen zu einer Bildung von Strukturen mit charakteristischen Ausdehnungen und wirken sich auf die mechanischen Spannungen aus. Durch die vorliegenden Ergebnisse wird gezeigt, daß die Stabilität der Diffusionsbarrieren bereits unterhalb der Kristallisationstemperatur durch die Entmischung und Nanokristallisation begrenzt ist.