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Mikro-Photolumineszenz an InP/GaInP-Quantenpunkten

dc.contributor.advisorUlbrich, Rainer G. Prof. Dr.de
dc.contributor.authorBlome, Peter Georgde
dc.date.accessioned2013-12-05T09:07:28Z
dc.date.available2013-12-05T09:07:28Z
dc.date.issued2001-11-06de
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11858/00-1735-0000-0022-5D4E-B
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.53846/goediss-4230
dc.description.abstractIn dieser Arbeit wurden mittels Mikro-Photolumineszenz umfassende Charakterisierungen an einer InP/GaInP-Probe vorgenommen und darauf basierend ein Modell für die Besetzung und die Wechselwirkung der verschiedenen Ladungsträgerzustände der InP-Schicht aufgestellt, das die Beobachtungen schlüssig beschreibt. Aufbauend auf allgemeinen Fakten des Stranski-Krastanov-Wachstums, AFM-Messungen und Photolumineszenspektren läßt sich die Struktur durch zwei Klassen von InP-Ausscheidungen beschreiben, die im weiteren Verlauf der Arbeit betrachtet wurden. Dies sind (i) selbstorganisierte Pyramidenstümpfe und (ii) InP-Scheibchen ...de
dc.language.isodeude
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/
dc.titleMikro-Photolumineszenz an InP/GaInP-Quantenpunktende
dc.typedoctoralThesisde
dc.contributor.refereeFelsch, Wolfgang Prof. Dr.de
dc.date.examination1999-11-03de
dc.subject.gokHalbleiter {Physik} (PPN621341150)de
dc.description.abstractengNot available.de
dc.identifier.urnurn:nbn:de:gbv:7-webdoc-856-9de
dc.identifier.purlwebdoc-856de
dc.identifier.ppn312347111de


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