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Interdiffusion und Interreaktion in epitaktischen metallischen Schichtsystemen unter dem Einfluß diffusionsinduzierter Spannungen
(2000)
Zentrales Ziel dieser Arbeit ist es, den Einfluß durch die Diffusion selbst erzeugter Spannungen auf Festkörperreaktionen in Schichtpaketen zu untersuchen. Solche Spannungen können zum Beispiel durch eine Gitterfehlpassung ...
Transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen zur Koausscheidung von Übergangselementen in kristallinem Silizium
(2009-07-14)
Multikristallines Silizium, das bei der Herstellung von Solarzellen Verwendung findet, enthält Atome einer Vielzahl von 3d-Übergangselementen wie beispielsweise Kupfer, Nickel und Eisen. ...
Characterization of hydrogenated silicon thin films and its alloys by the photoconductivity frequency mixing and transient thermoelectric effects methods
(2003-11-25)
Der Ladungstransport in wasserstoffbeladenen Silizium (poly-Si:H)- Schichten wurde untersucht. Die Proben wurden durch die Abscheidung von Silan aus der Gasphase in der Umgebung eines heißen ...
Mikrostruktur und Wachstum bei der ionenstrahlunterstützten Deposition von Yttrium-stabilisierten Zirkonoxid-Filmen
(2003-02-26)
In dieser Arbeit wurden transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen (TEM) an bei Raumtemperatur, mittels Ionenstrahlunterstützter Deposition (IBAD) abgeschiedener ...
Self-Organized Formation of Metal-Carbon Nanostructures by Hyperthermal Ion Deposition
(2006-05-23)
Bei der quasi-simultanen Deposition massenselektierter Kohlenstoff- und Metallionen mit Energien jenseits thermischer Energien treten verschiedene Morphologien auf abhängig vom ...
Strukturelle Untersuchung der amorph/kristallinen Grenzfläche mittels quantitativer hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie an den Systemen a-Si/c-Si und a-Ge/c-Si
(2006-12-11)
In dieser Arbeit wurden die Grenzflächen zwischen kovalent gebundenen kristallinen und amorphen Materialien im Hinblick auf die induzierte Ordnung im amorphen Material in Grenzflächennähe ...
Mikrostrukturelle Untersuchungen an Mangan-dotiertem Galliumnitrid mittels fortgeschrittener Methoden der hochauflösenden und analytischen Transmissionselektronenmikroskopie
(2006-12-06)
In einem verdünnten magnetischen Halbleiter hängen die magnetischen Eigenschaften von der Mikrostruktur des Materials ab. In dieser Arbeit wird Mn-dotiertes GaN mittels Transmissionselekt ...
Wechselwirkungen von Gold und Versetzungen in Silizium
(2009-06-04)
Kenntnisse über Wechselwirkungen unterschiedlicher Kristalldefekte in Silizium sind von großer Relevanz für die Optimierung der Leistung von Solarzellen, die auf der Basis von multikristallinenem ...