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Lanthanide Doped Wide Band Gap Semiconductors: Intra-4f Luminescence and Lattice Location Studies
(2004-03-03)
Das Dotieren von Halbleitern mit Lanthaniden ist ein vielversprechender Weg zur Realisisierung von Lichtemittern, deren Lumineszenz von strahlenden Elektronenübergängen innerhalb der 4f-Schale ...
Size-selective synthesis of nanometer-sized Palladium clusters and their hydrogen solvation behaviour
(2004-04-07)
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Herstellung und Untersuchung Nanometer- großer Palladium- Cluster. Zunächst wurden mit Hilfe der elektrolytischen Abscheidung Cluster ...
Ionenstrahlunterstütztes Wachstum von Zinn-dotierten Indiumoxid-Filmen
(2004-05-24)
In der vorliegenden Arbeit wurden die optischen, elektrischen und mikrostrukturellen Eigenschaften mittels ionenstrahlunterstützter Deposition (IBAD) hergestellter Zinn-dotierter Indiumoxid- ...
Mechnismen der Stromunterdrückung in supraleitenden YBa2Cu3O7-d Kleinwinkelkorngrenzen
(2004-05-10)
Während in hochtexturierten Dünnfilmen des
Hochtemperatursupraleiters YBa2Cu3O7-d (Y-123) intragranulare
kritische Stromdichten von einigen 1011A/m2
bei 4.2 Kelvin erzielt werden können, nimmt in bikristallinen
Proben ...