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InN and In-rich InGaN Nanocolumns by Molecular Beam Epitaxy
(2012-02-01)
Der Fokus dieser Arbeit liegt auf In und InGaN Halbleiternanodrähten. Ziel war es ein ein tieferes Verständnis der elektronischen Eigenschaften der InN Nanodrähte sowie des Wachstumsmechanismus ...