In der vorliegenden Arbeit wird ein Verfahren zur Ermittlung der freien Enthalpie computermodellierter binärer metallischer Legierungsschmelzen auf Basis der Molekulardynamik vorgestellt. Dabei wird zunächst die Entropie ...

Wasserstoffbeladene metallische Multischichten wurden mit der tomographischen Atomsonde (TAP) und der Sekundärionenmassenspektrometrie (SIMS) auf ihre chemische zusammensetzung mit Auflösungen auf Subnanometerskala untersucht. ...

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Herstellung und Untersuchung Nanometer- großer Palladium- Cluster. Zunächst wurden mit Hilfe der elektrolytischen Abscheidung Cluster ...

Nanoanalyse höchster Auflösung von metallischen Schichtsystemen Die Festkörperreaktion im Bereich der Dünnfilmanwendung ist in den letzten Jahren weiter in den Focus aktueller Forschung gerückt. Technologische Anwendungen ...

Zentrales Ziel dieser Arbeit ist es, den Einfluß durch die Diffusion selbst erzeugter Spannungen auf Festkörperreaktionen in Schichtpaketen zu untersuchen. Solche Spannungen können zum Beispiel durch eine Gitterfehlpassung ...

Gegenstand dieser Arbeit ist die Untersuchung der nanostrukturellen Entwicklung von nano- kristallinen (Korngrößen kleiner 10 nm), binären Fe-Ag- und Ni-P-Legierungen nach wärme- behandlungen mit Hilfe einer ortsauflösenden ...

Was passiert mit einem Metall, wenn es in seiner Größe reduziert wird? Welche Änderungen sind zu erwarten, was ist zu berücksichtigen? Am Beispiel der Metall-Wasserstoff-Systeme (M-H-Systeme) ...

In dieser Arbeit wurden nanoskalige Cu/Py (Py-Permalloy-Ni79Fe21) und Al/Cu Schichtsysteme, welche relevant in moderne elektronische Anwendungen sind, erfolgreich hinsichtlich ...

In dieser Arbeit wird die Adhäsionsenergie zwischen metallischen Schichten und ihren Substraten quantitativ bestimmt. Dazu wurde mit der Methode der kontrollierten Schichtablösung eine ...

In einem verdünnten magnetischen Halbleiter hängen die magnetischen Eigenschaften von der Mikrostruktur des Materials ab. In dieser Arbeit wird Mn-dotiertes GaN mittels Transmissionselekt ...