| dc.contributor.advisor | Wenderoth, Martin PD Dr. | |
| dc.contributor.author | Sinterhauf, Anna | |
| dc.date.accessioned | 2021-10-22T11:00:59Z | |
| dc.date.available | 2021-10-28T00:50:09Z | |
| dc.date.issued | 2021-10-22 | |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/21.11130/00-1735-0000-0008-5953-7 | |
| dc.identifier.uri | http://dx.doi.org/10.53846/goediss-8900 | |
| dc.language.iso | eng | de |
| dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | |
| dc.subject.ddc | 530 | de |
| dc.title | Proximity Effects in Epitaxial Graphene on SiC and their Impact on Atomic-Scale Charge Transport | de |
| dc.type | doctoralThesis | de |
| dc.contributor.referee | Wenderoth, Martin PD Dr. | |
| dc.date.examination | 2021-08-31 | |
| dc.subject.gok | Physik (PPN621336750) | de |
| dc.description.abstractger | Es gibt erste Ansätze, die Nähe des zweidimensionalen Materials Graphen zu bestimmten Materialien auszunutzen, um die Eigenschaften von Graphen gezielt zu verändern. Um diese Ansätze jedoch in vorteilhafte Werkzeuge zur gezielten Beeinflussung der Eigenschaften von epitaktischem Graphen umzuwandeln, müssen zunächst die Proximity-Effekte in unverändertem Graphen auf SiC untersucht und die zugrundeliegenden Kopplungsmechanismen verstanden werden. Ein direkter Einfluss der Nähe zum Substrat zeigt sich in den Ladungstransporteigenschaften von epitaktischem Graphen, da charakteristische Größen wie die Ladungsträgerdichte und die Ladungsträgerbeweglichkeit stark beeinflusst werden. In dieser Arbeit wird ein umfassender Zugang verwendet, der auf der Verknüpfung von lokalen strukturellen, elektronischen und Transporteigenschaften basiert, um die Auswirkungen der Nähe des SiC-Substrates auf epitaktisches Graphen zu untersuchen. Dies ermöglicht es, lokale Variationen in der Kopplung zu identifizieren und Zugang zu den grundlegenden Mechanismen der Substrat-Graphen-Wechselwirkung zu erhalten. | de |
| dc.description.abstracteng | Approaches to exploit the proximity of the two-dimensional material graphene to certain materials in order to specifically tune graphene’s properties start to emerge. However, to turn these approaches into truly beneficial tools to engineer epitaxial graphene’s properties, it is first necessary to investigate proximity effects in pristine graphene on SiC and to understand the coupling mechanisms behind them. A direct influence of the proximity to the substrate is seen in the charge transport properties of epitaxial graphene, as characteristic quantities such as the charge carrier density and the charge carrier mobility are significantly affected. In this thesis, a comprehensive approach based on linking local structural, electronic as well as transport properties is used to investigate proximity effects of the SiC substrate on epitaxial graphene. This allows to identify local variations in the coupling and to gain access to the fundamental mechanisms of the substrate-graphene interaction. | de |
| dc.contributor.coReferee | Hofsäss, Hans Christian Prof. Dr. | |
| dc.contributor.thirdReferee | Möller, Rolf Prof. Dr. | |
| dc.subject.ger | epitaktisches Graphen | de |
| dc.subject.ger | Proximity | de |
| dc.subject.ger | Ladungstransport auf der lokalen Skala | de |
| dc.subject.eng | epitaxial graphene | de |
| dc.subject.eng | proximity | de |
| dc.subject.eng | local-scale charge transport | de |
| dc.identifier.urn | urn:nbn:de:gbv:7-21.11130/00-1735-0000-0008-5953-7-9 | |
| dc.affiliation.institute | Fakultät für Physik | de |
| dc.description.embargoed | 2021-10-28 | |
| dc.identifier.ppn | 1775087581 | |