• Deutsch
    • English
  • Deutsch 
    • Deutsch
    • English
  • Einloggen
Dokumentanzeige 
  •   Startseite
  • Zentren & Graduiertenschulen
  • GGNB - Göttinger Graduiertenzentrum für Neurowissenschaften, Biophysik und molekulare Biowissenschaften
  • Dokumentanzeige
  •   Startseite
  • Zentren & Graduiertenschulen
  • GGNB - Göttinger Graduiertenzentrum für Neurowissenschaften, Biophysik und molekulare Biowissenschaften
  • Dokumentanzeige
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Structural determinants of voltage-dependent gating of Kv10.1

von Reham Abdelaziz
Dissertation
Datum der mündl. Prüfung:2021-02-17
Erschienen:2022-01-07
Betreuer:Prof. Dr. Luis A. Pardo
Gutachter:Prof. Dr. Martin Göpfert
Gutachter:Dr. Andreas Neef
crossref-logoZum Verlinken/Zitieren: http://dx.doi.org/10.53846/goediss-9034

 

 

Dateien

Name:Thesis2021_Abdelaziz.pdf
Size:14.0Mb
Format:PDF
Description:PhD Thesis
ViewOpen

Lizenzbestimmungen:


Zusammenfassung

Englisch

Voltage-gated ion channels sense voltage through the movement of the voltage sensor in response to change in membrane potential, hence influencing the channel pore. In this project, we seek a deeper understanding of electromechanical coupling in a voltage gated K+ channel: Kv10.1 (EAG1). In most voltage-gated K channels (Kv), the loop between transmembrane segments 4 and 5 (S4-S5 linker) acts as a mechanical lever that couples the movement of the sensor to gate opening. However, recent evidence sets apart the KCNH family (Kv10-12) from this model and proposes a distinct mechanism of gating, where the S4 segment itself, rather than the linker, transduces the movement of the sensor. Nevertheless, the complexity of the gating behaviour of this family of channels is not fully explained by this difference and prompts to the existence of additional mechanisms. In an attempt to identify such alternative mechanisms, we turned our attention to the intracellular ring that characterizes this family and is formed by parts of the large N- and C- terminal intracellular domains. This intracellular ring shows functional and physical interactions with the core of the channel and has been proposed to participate in gating. We generated partial deletions of intracellular domains, generated synthetic cRNA and characterized the properties of the current using two-electrode voltage clamp in Xenopus laevis oocytes. Deletions in both N- and C-terminal domains induce profound alterations in channel kinetics, further reinforcing the notion of their participation in gating. Our data indicates that both the voltage sensor and the ring play a role in electromechanical coupling in KCNH channels.
Keywords: Kv10.1; Gating; Intracellular domains
 

Statistik

Hier veröffentlichen

Blättern

Im gesamten BestandFakultäten & ProgrammeErscheinungsdatumAutorBetreuer & GutachterBetreuerGutachterTitelTypIn dieser FakultätErscheinungsdatumAutorBetreuer & GutachterBetreuerGutachterTitelTyp

Hilfe & Info

Publizieren auf eDissPDF erstellenVertragsbedingungenHäufige Fragen

Kontakt | Impressum | Cookie-Einwilligung | Datenschutzerklärung
eDiss - SUB Göttingen (Zentralbibliothek)
Platz der Göttinger Sieben 1
Mo - Fr 10:00 – 12:00 h


Tel.: +49 (0)551 39-27809 (allg. Fragen)
Tel.: +49 (0)551 39-28655 (Fragen zu open access/Parallelpublikationen)
ediss_AT_sub.uni-goettingen.de
[Bitte ersetzen Sie das "_AT_" durch ein "@", wenn Sie unsere E-Mail-Adressen verwenden.]
Niedersächsische Staats- und Universitätsbibliothek | Georg-August Universität
Bereichsbibliothek Medizin (Nur für Promovierende der Medizinischen Fakultät)
Robert-Koch-Str. 40
Mon – Fri 8:00 – 24:00 h
Sat - Sun 8:00 – 22:00 h
Holidays 10:00 – 20:00 h
Tel.: +49 551 39-8395 (allg. Fragen)
Tel.: +49 (0)551 39-28655 (Fragen zu open access/Parallelpublikationen)
bbmed_AT_sub.uni-goettingen.de
[Bitte ersetzen Sie das "_AT_" durch ein "@", wenn Sie unsere E-Mail-Adressen verwenden.]